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| 单晶硅片 |
| 晶龙实业集团有限公司 |
| 加入时间：2011-12-20 来源：本站 作者：陈艳红 |
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二极管级3寸单晶片技术参数
1.外形尺寸
1.1硅片直径:76.2土0.4mm
1.2弯曲度:≤0.035mm
1.3总厚度变化:≤0.03mm
1.4垂直度：片内矩形对角线相等，公差土0.5mm
2.技术参数
2.1导电参数:N型
2.2电阻率:5-6OΩ.cm或按客户要求加工
2.3少子寿命:≥100μs
2.4氧含量:<1.0×1018atoms/cm3
2.5碳含量:<5.0×1016atoms/cm3
2.6晶向:〈111〉±1.50
2.7位错密度:≤3000个/cm3
2.8厚度:280-305μm
二极管级4寸单晶片技术参数
1.外形尺寸
1.1硅片直径:100±0.5mm
1.2总厚度变化(TTV):0.005μm
1.3弯曲度:≤0.030mm
2.技术参数
2.1电阻率:5-60Ω.cm或按客户要求加工
2.2导电类型:N型
2.3少子寿命:≥100μs
2.4氧含量:<1×1018atoms/cm3
2.5碳含量:<5×1016atoms/cm3
2.6晶向:(111)±1.5°
太阳能电池用6寸单晶片技术参数
1.外形尺寸
1.1硅片直径:150±0.4mm
1.2硅片宽度:125±0.4mm
1.3硅片厚度:200/190±20μm
1.4总厚度变化(TTV):0.03mm
1.5垂直度:片内矩形对角线相等,公差±0.5mm
1.6弯曲度:≤0.035mm
2.技术参数
2.1电阻率:0.5-3Ω.cm
2.2导电类型:P型
2.3少子寿命:≥10μs
2.4氧含量:<1×1018atoms/cm3
2.5碳含量:<10×1016atoms/cm3
2.6晶向:(100)±2.0°
2.7位错密度:≤1×103个/cm3
太阳能电池用8寸单晶片技术参数
1.外形尺寸
1.1硅片直径:195/200/205±2.0mm
1.2硅片宽度:156±0.4mm
1.3硅片厚度:200/190±10μm
1.4总厚度变化(TTV):≤40μm
1.5垂直度:90°±3°
1.6弯曲度:≤0.035mm
2.技术参数
2.1电阻率:0.5-3/3-6Ω.cm
2.2导电类型:P型
2.3少子寿命:≥10μs
2.4氧含量:<1×1018atoms/cm3
2.5碳含量:<10×1016atoms/cm3
2.6晶向:(100)±2°
2.7位错密度:≤1×103个/cm3 |
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