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| 三星电子改进半导体存储器设计 |
| 加入时间：2025-01-24 来源：科技日报
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据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。
三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。
专业人士表示，改变设计并不是一个容易的决定，制造工艺产生变化后，会提高成本，此举意味着公司有改进工艺和产品的紧迫意识。
三星电子已经在根据新的“D1b”设计修改生产工艺，于2024年底下达了紧急设备订单，升级了现有生产线，并进行了技术转移。考虑到设备建设和试运行的进度，新款“D1b”将于年内量产，预计最快第二季度或第三季度发布。
除改变“D1b”设计外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开发项目，以增强DRAM竞争力。“D1b-p”的特点是注重提高电源效率和发热，使用了英文单词“prime”中的首字母p，旨在强调产品“更为优秀”。
三星电子正面临着竞争对手的强劲挑战。韩国SK海力士和美国美光都已将“D1b”产品商业化，并在更适应人工智能时代的高带宽内存上进行应用。SK海力士2024年完成了下一代DRAM“D1c”的开发。与竞争对手相比，三星电子目前的“D1b”产品无论在性能还是良品率上都处于相对劣势，不得不实施改变半导体设计等特殊措施，以填补缺口，增强竞争力。
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